fbpx

Laboratorium technologiczne nanolitografii z fotolitografią

KOMPLEKS NAUKO-DYDAKTYCZNY CENTRUM MIKROELEKTRONIKI I NANOTECHNOLOGII UR

O laboratorium

Laboratorium technologiczne foto i nanolitografii – umieszczone jest w pokojach czystych i zostało podzielone na dwa stanowiska. Pierwsze stanowisko nanolitografii wykorzystuje elektronowy mikroskop skaningowy wyposażony w dodatkową katodę jonową (mikroskop w konfiguracji dual beam) wraz z dedykowanym systemem sterującym firmy Raith. Tak skonfigurowany system umożliwia wytwarzanie Nano-wzorów dwoma metodami:

  • metodą litografii elektronowej wraz z procesem chemicznego trawienia (trawienie mokre),
  • metodą litografii jonowej – tzw. trawienie suche

Drugim systemem dedykowanym do litografii jest stanowisko klasycznej fotolitografii wykorzystujące światło ultrafioletowe. W skład systemu wchodzą: wirówka do nanoszenia fotorezystów (emulsji światłoczułych) – spin coater, płyta grzewcza do utrwalania fotorezystu (hot plate), urządzenie do wyrównywania i naświetlania próbek (tzw. mask aligner) oraz układ wywoływania po procesie naświetlania.

Pracownicy:

  • dr Dariusz Płoch
  • mgr inż. Ewa Bobko
  • mgr inż. Przemysław Cypryś 
  • mgr inż. Piotr Krzemiński 

 

 

 

SEM/FIB - Skaningowa mikroskopia elektronowa

Metoda dostarcza danych o topografii i składzie (fluorescencja) powierzchni. Obserwuje się obrazy z powierzchni rzędu nanometrów, przekształcone na obraz cyfrowy

Aparatura pozwala na odwzorowaniu obrazu badanej struktury z dokładnością lepszą niż 1 nm. Przy szerokim zakresie prądu próbnego 1pA-100nA

Proces litografii elektronowej polega na trawieniu wiązką elektronową SEM otrzymanych metodą MBE nanostruktur. Do programu komputerowego sterującego działaniem SEM wczytywany jest pożądany wzór maski w formacie  „bitmap”, który należy wykonać. Po wytrawieniu struktury wykonuje się kontakty poprzez napylania próżniowe metali (złoto). Jest to obecnie technologia wykonania układów nano-elektronicznych, pozwalająca na osiągnięcie rozdzielczości około 1 nm. 

Parametry :

  • Rozmiary materiału badanego – 150 mm (średnica) oraz grubość 4mm
  • Rozdzielczość1 nm, dla 15kV
  • Prąd próby 1pA-100nA
  • Napięcie przyspieszające 0,5-30kV
  • Pełna rozdzielczość obrazu 1280×960 pix
  • Prędkość skanowania 25/30 kl/s